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杭州富加镓业科技有限公司始终坚持产业化导向,继突破导模法(EFG)6英寸导电型、绝缘型衬底生长技术及EFG“一键长晶”装备后,2024年7月,基于模拟仿真技术成功研制了氧化镓坩埚下降法(VB)长晶装备,并实现了3英寸氧化镓单晶生长。
在国内外同行重点关注氧化镓单晶材料研制的同时,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称富加镓业)提前布局氧化镓外延技术攻关。在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目支持(项目编号:2022YFB3605500)支持下,研制了高性能MBE外延片,并与国家重点研发计划项目器件团队合作,成功制备了击穿电压大于2000V,电流密度为60 mA/mm的MOSFET横向功率器件,与进口同类型外延片制备器件性能相当。