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近日,由杭州富加镓业科技有限公司牵头起草的国家标准《氧化镓外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》完成立项公示。这是富加镓业继牵头起草氧化镓领域第一个国家标准《氧化镓单晶抛光片》之后,牵头起草的第二项氧化镓领域国家标准,进一步彰显了富加镓业以技术创新、标准建设为抓手,引领产业规范化、规模化发展,助力国内超宽禁带半导体产业链自主升级的责任与担当。
Homoepitaxial growth of Si-doped β-Ga2O3 films on semi-insulating (100) β-Ga2O3 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is studied in this work. By appropriately optimizing the growth conditions, an increasing diffusio ...