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富加镓业

致力于成为全球宽禁带半导体材料研发的领军企业

杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月，注册资金851.763万,坐落于美丽的杭州市富阳区，已获评国家高新技术企业。 公司专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司 ...

产品中心

PRODUCT CENTER

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010面-5mm×5mm
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UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(001) 双晶摇摆半高宽：≤150”

010面

Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(010) 双晶摇摆半高宽：≤350”

100面

100面

掺杂：Sn 导电性：n 晶面：(100) 双晶摇摆半高宽：≤250”

010面-5mm×5mm

掺杂：Fe 晶面：(010) 双晶摇摆半高宽：≤350“

新闻中心

NEWS INFORMATION

国内首次！国际最大！富加镓业突破6英寸VB法氧化镓单晶制备技术

杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在氧化镓晶体生长领域取得重大突破——利用垂直布里奇曼法（VB法）在国内首次成功制备出6英寸氧化镓单晶晶锭，晶体等径高度达30mm，为功率器件所需导电性材料，可满足完整6英寸氧化镓导电型衬底的加工需求。

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