国际首次！ 富加镓业成功制备12英寸氧化镓单晶，引领第四代半导体新纪元

“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备8英寸氧化镓晶体后，再次取得的重大技术突破。这一突破不仅刷新了全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录，更标志着我国在第四代半导体核心材料产业化进程中迈出了决定性一步，而富加镓业也成为国际上首家掌握12英寸氧化镓单晶生长技术的企业。